 低功耗：0.6μA 典型值（Ta=25℃）。

 工作电压：2.5V～5.5V；计时电压：1.5V～5.5V。

 工作温度：-40℃～105℃。

 标准IIC总线接口方式，最高速度400kHz。

 年、月、日、时、分、秒的BCD码输入/输出，并可通过独立地址访问各时间寄存器。

 闰年自动调整功能（2000年～2099年）。

 内置星期/日期、时、分共3字节的报警数据寄存器。

 周期性频率中断输出：32768Hz、1024Hz和1Hz共三种方波。

 自动重载的16位的倒计时定时器，可选的5种时钟源（4096Hz、1024Hz、1秒、1 分钟、1小时），最小定时为 244us，最长定时为2730.625天（七年半），通过计算可获得精确的毫秒级定时值。

 时间更新中断具有分钟中断与秒中断两种功能。

 时间报警中断、倒计时中断、时间更新中断各有一个中断标志位。

 内置通信校验功能，进一步提高通信的可靠性。

 内置1/1024秒寄存器，读取时间能够精确到1/1024秒。

 内置IIC总线0.5秒自动复位功能（从start命令开始计时），该功能可以避免IIC总线挂死问题。

 内置写保护功能，避免对数据的误写操作，可更好地保护数据。

 内置上电指示位RTCF，当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。

 内置停振检测位OSF，当内部振荡器停止振荡时该位置1。

 内置晶振和谐振电容，芯片内部通过高精度补偿方法，实现在宽温范围内高精度的计时功能：常温精度<±5ppm（出厂精度）。　

 内置70字节通用SRAM 寄存器可用于存储用户的一般数据。

 内置8字节的ID码，芯片出厂之前设定的、全球唯一的身份识别码。

 芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。

 CMOS 工艺

 芯片管脚抗静电（ESD）>4KV

 封装形式：3225(3.2mmx2.5mmx0.75mm)。

原理框图：